RFID标签天线及读写器设计制造
作者：RFID中国论坛 来自：中国电子标签网
2） 在存储器方面，发达国家已经开始采用标准CMOS工艺设计非挥发存储器，使得RFID标签芯片的所有模块有可能在标准CMOS工艺下制作完成，以降低生产成本，而国内目前仍主要采用传统的OTP工艺或EEPROM工艺，关于标准CMOS工艺下的非挥发存储器的研究刚刚开始；
3） 在超低功耗模拟电路研究方面，国内研究较少，而这方面的设计将直接影响到芯片的阅读距离和整体性能；
4） RFID标签对成本比较敏感，芯片设计需要在模
1.2 芯片制造技术
半导体芯片制造工艺有多种类型，根据器件类型可分CMOS，Bipolar，BICMOS等，根据材料可分Si，Ge，GaAs工艺等，根据衬底类型可分体硅工艺、SOI工艺等。RFID应用特点是批量大，但成本极其敏感，尽管有厂家利用特殊工艺设计制造出相应产品，但综合多种因素及国内实际情况，基于CMOS制造工艺的工艺技术比较适合目前应用需求的RFID的加工制造。目前国外也主要采用标准CMOS工艺，且普遍采用0.35μm以下工艺。
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